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NXP Semiconductors
PESDxV4UK series
Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection arrays
16.0
006aac381
10
006aac382
C d
(pF)
I RM
12.0
I RM(25 ° C)
(3)
(2)
8.0
4.0
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
(1)
0.0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
V R (V)
10 ? 1
? 75
? 25
0
25
50
T j ( ° C)
75
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3V4UK
(2) PESD5V0V4UK
(3) PESD9V0V4UK
(1) PESD3V3V4UK
(2) PESD5V0V4UK
(3) PESD9V0V4UK
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
values
I
? V CL ? V BR ? V RWM
?
P-N
+
? I RM
? I R
? I PP
V
006aaa407
Fig 8.
V-I characteristics for a unidirectional ESD protection diode
PESDXV4UK_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 25 August 2010
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
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